物理結(jié)構(gòu)是在發(fā)光二極管的結(jié)間安置一層具有光活性的半導體，其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下，LED結(jié)發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用，從而進一步激勵從結(jié)上發(fā)射出單波長的光，這種光的物理性質(zhì)與材料有關(guān)。在VCD機中，半導體激光二極管是激光頭的**部件之一，它大多是由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構(gòu)成的，是一種近紅外半導體器件，波長為780～820 nm，額定功率為3～5 mw。另外，還有一種可見光(如紅光)半導體激光二極管，也廣泛應用于VCD機以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)類型有三種，如圖11所示。1480nm大功率Class 1安全激光，脈沖1至3000微秒可調(diào)。北京1460 nm激光破膜IVF激光輔助

FG-LD圖10**小藍紫激光二極管FG-LD（光纖光柵激光二極管）利用已成熟的封裝技術(shù)，將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調(diào)諧外腔結(jié)構(gòu)的激光器，由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成，光學諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內(nèi)端面鍍有增透膜，以減小其F-P模式，F(xiàn)G用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性，LD工作波長將控制在光柵的布拉格發(fā)射峰帶寬內(nèi)，通過加壓應變或改變溫度的方法，調(diào)諧FG的布拉格波長，就可以得到波長可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對簡單，性能卻可與DFB-LD相比擬，激射波長由FG的布拉格波長決定，因此可以精控，單模輸出功率可達10mW以上，小于2.5kHz的線寬，較低的相對強度噪聲與較寬的調(diào)諧范圍（50nm），在光通信的某些領(lǐng)域有可能替代DFB-LD。已進行用于2.5Gb/sx64路的信號傳輸?shù)膶嶒?，效果很好。廣州Hamilton Thorne激光破膜細胞切割通過調(diào)節(jié)激光參數(shù)，可根據(jù)不同胚胎的特點進行個性化的輔助孵化，進一步提高胚胎著床率和妊娠成功率。

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品，向高可靠低價化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結(jié)構(gòu)光柵進行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區(qū)。這種波紋狀結(jié)構(gòu)使光波導區(qū)的折射率呈周期性分布，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構(gòu)是光柵。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調(diào)制下可動態(tài)單縱模輸出。內(nèi)置調(diào)制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機小型、低功耗的要求。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調(diào)分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu)，提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產(chǎn)生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統(tǒng)設備，對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調(diào)制器的單芯片光源也在發(fā)展中。研制成功的電吸收調(diào)制器集成光源，采用有源層與調(diào)制器吸收層共用多QW結(jié)構(gòu)。調(diào)制器的作用如同一個高速開關(guān)，把LD輸出變換成二進制的0和1。在試管嬰兒技術(shù)中，對于一些透明帶變硬或厚度異常的胚胎，通過激光破膜儀進行輔助孵化。

半導體激光二極管的基本結(jié)構(gòu)：垂直于PN結(jié)面的一對平行平面構(gòu)成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側(cè)面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結(jié)加有正向電壓時，會削弱PN結(jié)勢壘，迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結(jié)注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結(jié)注入N區(qū)，這些注入PN結(jié)附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時，一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子—空穴對附近，就能激勵二者復合，產(chǎn)生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。當有源層內(nèi)的載流子在大量反轉(zhuǎn)情況下，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說對某一頻率具有增益。當增益大于吸收損耗時，就可從PN結(jié)發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光，這就是激光二極管的原理。利用激光破膜儀對早期胚胎進行精細操作，有助于深入研究胚胎發(fā)育過程中的細胞命運決定等機制。北京1460 nm激光破膜IVF激光輔助

核移植過程中，實現(xiàn)對供體細胞與受體細胞的精細操作。北京1460 nm激光破膜IVF激光輔助

囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術(shù)方法，用于將特定基因或DNA序列導入到胚胎的囊胚階段。這種技術(shù)通常用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯領(lǐng)域。囊胚是胚胎發(fā)育的一個早期階段，特點是胚胎形成囊狀結(jié)構(gòu)，并且內(nèi)部有胚冠細胞和內(nèi)細胞群（ICM）。囊胚注射可以通過微注射的方式將外源基因?qū)氲侥遗叩囊徊糠旨毎?。囊胚注射在轉(zhuǎn)基因研究中的應用主要有兩個方面。首先，可以將人工合成的DNA片段或外源基因組導入到囊胚中，使這些基因能夠在發(fā)育過程中表達，并觀察其對胚胎發(fā)育的影響。其次，囊胚注射地可以將一種特定的基因敲除或靶向編輯，以研究該基因的功能和作用機制。囊胚注射需要高超的顯微注射技術(shù)和精細的操作。成功的囊胚注射可以使外源基因成功導入和表達，并實現(xiàn)所需的研究目的。然而，囊胚注射也存在一些技術(shù)挑戰(zhàn)和倫理問題，例如注射對胚胎發(fā)育的影響和使用轉(zhuǎn)基因動物引|發(fā)的倫理和安全問題等?？偠灾遗咦⑸涫且环N重要的生物技術(shù)方法，可以用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯，為研究基因功能和發(fā)育過程提供了有力的工具。北京1460 nm激光破膜IVF激光輔助