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在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷，將會提高植入率，降低晚期流產的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失，形態(tài)和結構是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟，懷孕第五、六個月中斷流產的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩，未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此，對于高齡、反復流產的孕婦，PGS是一項非常有價值的技術。PGD是基因診斷的一...

注意事項播報編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅動電源，瞬時反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅動電源子在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉化頻率，加速器件的老化。在調整光輸入量時，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作，會加速元件老化。6.機...

2·反向特性在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。激光二極管的注入電流必須大于臨界電流密度，才能滿足居量反轉條件而發(fā)出激光。臨界電流密度與接面溫度有關，并且間接影響效益。高溫操作時，臨界電流提高，效益降低，甚至損壞組件。還可用于精子制動，便于進行ICSI，以及在胚胎植入前遺傳學診斷 / 篩查過程中，對胚胎進行活檢取樣...

有哪些疾病與染色體有關？染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體，每對都是二倍體，也就是兩對。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數(shù)目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結構:定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。，這是結構異常，平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者，流產或IVF周期失敗的風險更大。遺傳病...

基因檢測減少流產和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?；驒z測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會選擇比較好質的受精卵進行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

激光破膜儀的優(yōu)勢 1.提升胚胎發(fā)育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結構性阻力，使胚胎內外的代謝產物和營養(yǎng)物質能夠順利交換，從而提升胚胎的發(fā)育潛能。 2.節(jié)省胚胎能量：通過輔助孵出，激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量，節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗，提高了移植成功的概率。 3.促進胚胎與子宮內膜同步發(fā)育：激光破膜儀幫助胚胎提前孵化，使其能夠更早地與子宮內膜接觸，從而實現(xiàn)胚胎和子宮內膜的同步發(fā)育，更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況...

激光打孔技術在薄膜材料加工中的優(yōu)勢 1.高精度、高效率激光打孔技術具有高精度和高效率的特點。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上快速、準確地加工出微米級和納米級的孔洞。這種加工方式可以顯著提高生產效率和加工質量，降低生產成本。 2.可加工各種材料激光打孔技術可以加工各種不同的薄膜材料，如金屬、非金屬、半導體等。這種加工方式可以適應不同的材料特性和應用需求，具有廣泛的應用前景。 3.環(huán)保、安全激光打孔技術是一種非接觸式的加工方式，不會產生機械應力或對材料造成損傷。同時，激光打孔技術不需要任何化學試劑或切割工具，因此具有環(huán)保、安全等優(yōu)點。 綜上所述，華越...

二、激光打孔技術在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應用場景。利用激光打孔技術，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞，滿足各種不同的應用需求。例如，在太陽能電池板的生產中，利用激光打孔技術可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過激光打孔技術可以制備出具有微孔結構的濾膜，實現(xiàn)對氣體的過濾和分離。2.納米級加工隨著科技的發(fā)展，納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術作為一種先進的加工手段，在納米級加工中具有廣泛的應用前景。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞，實現(xiàn)納米級結構的制備。這種加工方式可以顯著提高...

半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結加有正向電壓時，會削弱PN結勢壘，迫使電子從N區(qū)經PN結注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經過PN結注入N區(qū)，這些注入PN結附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產生的光子通過半導...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應用于臨床，用PCR技術行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律，此法無疑否定健康男孩的出生，而允許攜帶者女孩繁衍，并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功，并通過胚胎篩選，誕生了健康嬰兒。之后，α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立，PGD進入對單基因遺傳病的檢測預防階級。1993年以后，...

發(fā)展上世紀60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應用于臨床，用PCR技術行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律，此法無疑否定健康男孩的出生，而允許攜帶者女孩繁衍，并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功，并通過胚胎篩選，誕生了健康嬰兒。之后，α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立，PGD進入對單基因遺傳病的檢測預防階級。1993年以后，...

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產品，向高可靠低價化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區(qū)。這種波紋狀結構使光波導區(qū)的折射率呈周期性分布，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構是光柵。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調制下可動態(tài)單縱模輸出。內置調制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機小型、低功耗的要求。激光破膜儀能在胚胎操作中，可對胚胎透明帶進行...

胚胎激光破膜儀的原理和優(yōu)點 胚胎激光破膜儀是一種專門用于胚胎研究的科學儀器，它采用激光技術來破膜，以便進行各種實驗和研究。相比傳統(tǒng)的玻璃針穿刺、Peizo機械打孔等方法，胚胎激光破膜儀具有以下優(yōu)點：精確：激光打孔對細胞無擠壓，孔徑小，精確，消除了傳統(tǒng)方法引起的細胞胞質外流等缺點，顯著提高存活率。安全：微秒級脈沖有效保證胚胎安全，消除傳統(tǒng)取ICM細胞的弊端。高效：采用紅外激光，替代以前的紫外激光，消除了后者對細胞產生的光毒性，提高了操作效率。 實現(xiàn)對破膜過程和后續(xù)細胞反應的高分辨率、長時間追蹤，為深入理解細胞生物學過程提供更豐富的信息。歐洲Laser激光破膜XYCLONE有哪些疾病與染...

胚胎激光破膜儀的原理和優(yōu)點 胚胎激光破膜儀是一種專門用于胚胎研究的科學儀器，它采用激光技術來破膜，以便進行各種實驗和研究。相比傳統(tǒng)的玻璃針穿刺、Peizo機械打孔等方法，胚胎激光破膜儀具有以下優(yōu)點：精確：激光打孔對細胞無擠壓，孔徑小，精確，消除了傳統(tǒng)方法引起的細胞胞質外流等缺點，顯著提高存活率。安全：微秒級脈沖有效保證胚胎安全，消除傳統(tǒng)取ICM細胞的弊端。高效：采用紅外激光，替代以前的紫外激光，消除了后者對細胞產生的光毒性，提高了操作效率。 激光模塊整合在專門設計的40X物鏡上，物鏡運行透過可見。1460 nm激光破膜熱效應環(huán)在動物體細胞核移植技術中，注入去核卵母細胞的是供體細胞核，...

在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷，將會提高植入率，降低晚期流產的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失，形態(tài)和結構是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟，懷孕第五、六個月中斷流產的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩，未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此，對于高齡、反復流產的孕婦，PGS是一項非常有價值的技術。PGD是基因診斷的一...

注意事項播報編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅動電源，瞬時反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅動電源子在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉化頻率，加速器件的老化。在調整光輸入量時，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作，會加速元件老化。6.機...

?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮，具體應用場景包括：?輔助孵出?：在胚胎發(fā)育過程中，透明帶會逐漸變薄并破裂溶解，釋放胚胎使其成功著床于宮腔內。然而，當透明帶過硬或過厚時，胚胎無法自行孵出，從而影響著床和妊娠成功率。此時，激光破膜儀可以對透明帶進行人工打孔或削薄，幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?：在囊胚期，胚胎內部可能形成一個巨大的含水囊腔，這個囊腔對高滲液體置換細胞內的水構成很大阻礙，影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細地打破這個囊腔，放出水分，使高滲液體能夠順利進入細胞內，從而完成對囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發(fā)射激光，利用其穿透作用破壞胚胎的某...

發(fā)展上世紀60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...

植入前遺傳學診斷（英文：preimplantation genetic diagnosis，PGD [2]），是在進行胚胎移植前，從卵母細胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個卵裂球或多個滋養(yǎng)層細胞進行特定的遺傳學性狀檢測，然后據(jù)此選擇合適的胚胎進行移植的技術 [2-3]。為2019年公布的計劃生育名詞。 應用情況近年來，我國每年通過輔助生殖技術出生的嬰兒有數(shù)十萬。胚胎植入前遺傳學診斷技術發(fā)展十分迅速。這項技術的廣泛應用，也為將來把基因組編輯技術用于人類受精卵打下了基礎?；蚪M編輯存在出現(xiàn)差錯的可能性，有可能會發(fā)生脫靶或造成胚胎嵌合等現(xiàn)象。將來如果用于臨床，對基因組編輯...

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產品，向高可靠低價化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區(qū)。這種波紋狀結構使光波導區(qū)的折射率呈周期性分布，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構是光柵。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調制下可動態(tài)單縱模輸出。內置調制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機小型、低功耗的要求。細胞在破膜后仍能保持較高的活性和正常的生理功...

第三代試管嬰兒的技術也稱胚胎植入前遺傳學診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質進行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質取4～8個細胞期胚胎的1個細胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發(fā)育。檢測用單細胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術可以進行性別選擇，但只有當子代性染色體有可能發(fā)生異常并帶來嚴重后果時，才允許進行性別選擇。本質上，第三代試管嬰兒技術選擇的是疾病，而不是性別?？蛇x擇是否在圖像中顯...

***代試管嬰兒（invitrofertilization,IVF體外受精）解決的是因女性因素引致的不孕第二代試管嬰兒（intracytoplasmicsperminjection,ICSI單精子卵細胞漿內注射）解決因男性因素引致的不育問題第三代試管嬰兒（pre-implantationgeneticscreening/diagnosis,PGS胚胎植入前篩查）幫助人類選擇生育**健康的后代試管嬰兒技術給不孕不育夫婦們帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒，并成功擁有了自己的寶寶?？茖W研究發(fā)現(xiàn)，要想成功妊娠，健康胚胎很關鍵。而通過試管嬰兒方法獲得的胚胎有40-60%存在染色體異常，...

FG-LD圖10**小藍紫激光二極管FG-LD（光纖光柵激光二極管）利用已成熟的封裝技術，將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調諧外腔結構的激光器，由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成，光學諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內端面鍍有增透膜，以減小其F-P模式，F(xiàn)G用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性，LD工作波長將控制在光柵的布拉格發(fā)射峰帶寬內，通過加壓應變或改變溫度的方法，調諧FG的布拉格波長，就可以得到波長可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對簡單，性能卻可與DFB-LD相比擬，激射波長由FG的布拉格波長決定，因此可以精控，單模輸出功率可達10mW以上，小于...

CSELVCSEL（垂直腔面發(fā)射激光）二極管的特點如下：從其頂部發(fā)射出圓柱形射束，射束無需進行不對稱矯正或散光矯正，即可調制成用途***的環(huán)形光束，易與光纖耦合；轉換效率非常高，功耗*為邊緣發(fā)射LD的幾分之一；調制速度快，在1GHz以上；閾值很低,噪聲?。恢刂鼻幻婧苄?，易于高密度大規(guī)模制作和成管前整片檢測、封裝、組裝，成本低。VCSEL采用三明治式結構，其中間只有20nm、1--3層的QW增益區(qū)，上、下各層是由多層外延生長薄膜形成的高反射率為100%的布拉格反射層，由此構成諧振腔。相干性極高的激光束***從其頂部激射出。多家廠商有1550nm低損耗窗口與低色散的可調諧VCSEL樣品展示。131...

應用圖4 激光二極管隨著技術和工藝的發(fā)展，多層結構。常用的激光二極管有兩種：①PIN光電二極管。它在收到光功率產生光電流時，會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內部放大，比PIN光電二極管的傳輸距離遠，但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比，光檢測器件后面須連接低噪聲預放大器和主放大器。半導體激光二極管的工作原理，理論上與氣體激光器相同。 激光二極管⑴波長：即激光管工作波長，可作光電開關用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。⑵閾值電流Ith ：即激光管開始產生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值...

隨著科技的不斷進步，激光打孔技術作為一種高效、精細的加工方式，在各個領域得到了廣泛的應用。特別是在薄膜材料加工領域，激光打孔技術憑借其獨特的優(yōu)勢，成為了不可或缺的重要加工手段。本文將重點探討激光打孔技術在薄膜材料中的應用及其優(yōu)勢。 激光打孔技術簡介激光打孔技術是一種利用高能激光束在薄膜材料上打孔的加工方式。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成微米級甚至納米級的孔洞。這種加工方式具有高精度、高效率、低成本等優(yōu)點，因此在薄膜材料加工領域具有廣泛的應用前景。 核移植過程中，實現(xiàn)對供體細胞與受體細胞的精細操作。歐洲Laser激光破膜XYRCOS 胚胎激光破膜儀的操作和維...

在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷，將會提高植入率，降低晚期流產的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失，形態(tài)和結構是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟，懷孕第五、六個月中斷流產的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩，未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此，對于高齡、反復流產的孕婦，PGS是一項非常有價值的技術。PGD是基因診斷的一...

半導體激光二極管的基本結構：垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結加有正向電壓時，會削弱PN結勢壘，迫使電子從N區(qū)經PN結注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經過PN結注入N區(qū)，這些注入PN結附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產生的光子通過半導...

發(fā)展上世紀60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...