廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司,坐落于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一顆璀璨明珠。公司注冊(cè)資本 2000 萬(wàn)元,專注于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)以及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
強(qiáng)大的產(chǎn)品陣容:吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富且實(shí)力強(qiáng)勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細(xì)滿足芯片制造、微納加工等關(guān)鍵環(huán)節(jié)需求;半導(dǎo)體錫膏、焊片在電子焊接領(lǐng)域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球,與眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)及電子加工企業(yè)建立了長(zhǎng)期穩(wěn)固的合作關(guān)系。
雄厚的研發(fā)生產(chǎn)實(shí)力:作為一家擁有 23 年研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的綜合性企業(yè),吉田半導(dǎo)體具備行業(yè)前列規(guī)模與先進(jìn)的全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備。23 年的深耕細(xì)作,使其在技術(shù)研發(fā)、工藝優(yōu)化等方面積累了深厚底蘊(yùn),能夠快速響應(yīng)市場(chǎng)需求,不斷推出創(chuàng)新性產(chǎn)品。
嚴(yán)格的質(zhì)量管控:公司始終將品質(zhì)視為生命線,嚴(yán)格按照 ISO9001:2008 質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)監(jiān)控生產(chǎn)制程。生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理,從源頭抓起,所有生產(chǎn)材料均選用美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó)家進(jìn)口的高質(zhì)量原料,確?蛻羰褂玫匠哔|(zhì)量且穩(wěn)定的產(chǎn)品。
挑戰(zhàn)與未來(lái)展望的發(fā)展。陜西低溫光刻膠多少錢
化學(xué)反應(yīng):
正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;
負(fù)性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹(shù)脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
5. 顯影(Development)
顯影液:
正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;
負(fù)性膠:有機(jī)溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。
方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導(dǎo)體),時(shí)間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘(Post-Bake)
目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
條件:
溫度:100-150℃(半導(dǎo)體用正性膠可能更高,如180℃);
時(shí)間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長(zhǎng))。
7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)
蝕刻:以膠膜為掩膜,通過(guò)濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);
離子注入:膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域(半導(dǎo)體摻雜工藝)。
8. 去膠(Strip)
方法:
濕法去膠:強(qiáng)氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機(jī)溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
干法去膠:氧等離子體灰化(半導(dǎo)體領(lǐng)域,無(wú)殘留)。
中山水性光刻膠報(bào)價(jià)水性感光膠推薦吉田 JT-1200,精細(xì)網(wǎng)點(diǎn) + 易操作性!
LCD顯示
彩色濾光片(CF):
黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。
RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍(lán)像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。
陣列基板(Array):
柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。
OLED顯示(柔性/剛性)
像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應(yīng)蒸鍍工藝)。
觸控電極(如ITO/PET):通過(guò)光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電線路,線寬≤5μm。
Mini/Micro LED
巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級(jí)LED陣列,良率要求>99.99%。
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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
光刻膠是有什么東西?
以無(wú)鹵無(wú)鉛配方與低 VOC 工藝為,吉田半導(dǎo)體打造環(huán)保光刻膠,助力電子產(chǎn)業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。面對(duì)全球環(huán)保趨勢(shì),吉田半導(dǎo)體推出無(wú)鹵無(wú)鉛錫膏與焊片,通過(guò)歐盟 RoHS 認(rèn)證,焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方(<50g/L),符合歐盟 REACH 法規(guī),生產(chǎn)過(guò)程中通過(guò)多級(jí)廢氣處理與水循環(huán)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)零排放。公司嚴(yán)格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理,工業(yè)固廢循環(huán)利用率超 90%,為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域提供綠色材料解決方案,成為全球客戶信賴的環(huán)保材料供應(yīng)商。吉田半導(dǎo)體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。深圳負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家
吉田質(zhì)量管控與認(rèn)證壁壘。陜西低溫光刻膠多少錢
技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體、顯示面板等高級(jí)制造的材料,其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化、制程精度匹配、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
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高分辨率:隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進(jìn),需開(kāi)發(fā)更高精度的EUV光刻膠,解決光斑擴(kuò)散、線寬控制等問(wèn)題。
靈敏度與穩(wěn)定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,適應(yīng)極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
國(guó)產(chǎn)化替代:目前光刻膠(如EUV、ArF浸沒(méi)式)長(zhǎng)期被日本、美國(guó)企業(yè)壟斷,國(guó)內(nèi)正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一。